CVD 加工工藝是制作微傳感器、微執(zhí)行器 和 MEMS加工的主流技術(shù) ,是近年來隨著集成電路工藝 發(fā)展起來的 ,它是離子束、電子束、分子束、激光束和 化學(xué)刻蝕等用于微電子加工的技術(shù) ,目前越來越多 地用于 MEMS 的加工中 ,例如濺射、蒸鍍、等離子體 刻蝕、化學(xué)氣體淀積、外延、擴散、腐蝕、光刻等。在以硅為基礎(chǔ)的 MEMS 加工工藝中 ,主要的加工工藝 有腐蝕、鍵合、光刻、氧化、擴散、濺射等。

    MEMS生產(chǎn)中的薄膜指通過蒸鍍、濺射、沉積等工藝將所需物質(zhì)鋪蓋在基片的表層，根據(jù)其過程的氣相變化特性，可分為PVD與CVD兩大類。

    電子束蒸鍍利用電磁場的配合可以精準(zhǔn)地實現(xiàn)利用高能電子轟擊坩堝內(nèi)膜材，使膜材表面原子蒸發(fā)進而沉積在基片上；以FATRI UTC電子束蒸鍍機在MEMS制造過程的功用來說，其主要用來蒸鍍Pt、Ni、Au等。

    而磁控濺射是在高真空(10-5Torr)的環(huán)境下，導(dǎo)入惰性氣體（通常是Ar）并在電極兩端加上高電壓、產(chǎn)生輝光放電(Glow discharge)。Ar原子被電離成Ar+和電子。在電場作用下Ar+加速飛向靶材(target)，與靶材發(fā)生碰撞，濺射出大量的靶材原子，靶材原子沉積在基片上。在FATRI UTC 的MEMS 生產(chǎn)過程中，其可濺射Al、C0、Fe、的合金等。

    CVD工藝又可細分APCVD，LPCVD及PECVD；在MEMS制造中我們通常使用PECVD機臺(見下圖)來制造SiO2、Si3N4 或 SiC。其工藝是在較低的溫度下借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。